Manba: advancedsciencenews
Bor tipli emitentli n tipidagi kremniyli quyosh batareyalarining energiya o'tkazuvchanlik samaradorligini yanada oshirish uchun emitent mintaqasida zaryad tashuvchilarning rekombinatsiyasini kamaytirish kerak. Buning uchun nafaqat fotoaktiv (metalllashtirilmagan) sohada zaryad tashuvchini rekombinatsiyasi, balki metall kontaktlarda ham muhimdir. Kam zaryadli tashuvchini rekombinatsiyasiga erishish uchun doping profiliga talab ushbu ikki mintaqada juda farq qiladi.
Turli xil doplangan emitter hududlarini shakllantirishning echimlari tanlab olingan emitter yondashuvidan foydalanish hisoblanadi. Shuning uchun metall kontaktlari ostidagi yuqori doping lazer diffuziyasi orqali bor trilobid (BBr3) tarqalishi paytida hosil bo'ladigan borosilikat shisha (BSG) qatlamidan qo'shimcha bor atomlarni olish orqali amalga oshiriladi. Lazer diffuziyasini muvaffaqiyatli amalga oshirish uchun BSG BBr3 tarqalishidan keyin etarli miqdordagi borni ta'minlashi kerak.
Yaqinda tadqiqotchilar tomonidan BBr3 tarqalishi oxirida ikkinchi cho'kma bosqichini biriktirishning yangi kontseptsiyasi kiritildi, unda ikkinchi cho'kma BBr3 pufagi orqali faol azot oqimini tavsiflaydi. Ushbu yondashuv BSG qatlamida ikkinchi darajali cho'ktirmasdan BBr3 tarqalishiga nisbatan BSG qatlamida ikki baravar yuqori dozani ta'minlaydi, bu esa lazer bilan ishlaydigan tanlab chiqarilgan emitentlar hosil bo'lishini osonlashtiradi. BBr3 tarqalishi jarayonida kremniy yuzasida BSG va oraliq silikon dioksid (SiO2) dan iborat qatlam qatlami o'stiriladi.
Ikkinchi cho'kma bosqichi SiO2 qatlamining qalinligini pasaytiradi va BSG qatlamining qalinligini oshiradi. Lazerli dopingdan so'ng, zaryad tashuvchisi kontsentratsiyasi BBr3 diffuziya jarayoni uchun ikkinchi marta cho'kish bilan kuchayadi va natijada mahalliy doping kuchayadi. Ushbu yondashuv n tipidagi kremniyli quyosh batareyalarida zaryad tashuvchilarning rekombinatsiyasini kamaytirish uchun juda foydali bo'lib, bunday qurilmalarning energiya almashinuvi samaradorligini oshirishga imkon beradi.
